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प्लास्टिक वेल्डिंग मशीन के लिए 20Khz 2000w अल्ट्रासोनिक वेल्डिंग ट्रांसड्यूसर

प्लास्टिक वेल्डिंग मशीन के लिए 20Khz 2000w अल्ट्रासोनिक वेल्डिंग ट्रांसड्यूसर

50 मिमी व्यास अल्ट्रासोनिक वेल्डिंग ट्रांसड्यूसर

20K अल्ट्रासोनिक वेल्डिंग ट्रांसड्यूसर

प्लास्टिक वेल्डिंग मशीन अल्ट्रासोनिक ट्रांसड्यूसर

उत्पत्ति के प्लेस:

चीन

ब्रांड नाम:

Rps-sonic

प्रमाणन:

CE

मॉडल संख्या:

आर पी एस-5020-4Z

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उत्पाद विवरण
आवृत्ति:
20 किलोहर्ट्ज़
शक्ति:
2000W
वजन:
2 किलो
व्यास:
50 मिमी
आवेदन:
वेल्डिंग
सामग्री:
अल्युमीनियम
भुगतान और शिपिंग शर्तें
न्यूनतम आदेश मात्रा
1 टुकड़ा
मूल्य
negotiable
पैकेजिंग विवरण
दफ़्ती
प्रसव के समय
1 दिन
भुगतान शर्तें
टी / टी
आपूर्ति की क्षमता
200PCS / माह
उत्पाद वर्णन

 

20Khz 2000w अल्ट्रासोनिक वेल्डिंग ट्रांसड्यूसर प्लास्टिक वेल्डिंग मशीन के लिए

 

पैरामीटर

 

पद आवृत्ति प्रतिबाधा क्षमता
5020-4Z 19.8 6 12000

 

विवरण

 

अल्ट्रासोनिक ट्रांसड्यूसर एक प्रकार का ऊर्जा रूपांतरण उपकरण है। इसका कार्य इनपुट विद्युत शक्ति को यांत्रिक शक्ति (अल्ट्रासाउंड) में परिवर्तित करना और फिर इसे बाहर प्रसारित करना है,और यह केवल बिजली की एक छोटी राशि की खपत करता है.

अल्ट्रासोनिक जनरेटर (जिसको अल्ट्रासोनिक पावर सप्लाई भी कहा जाता है) 220 वी की बिजली को उच्च आवृत्ति में परिवर्तित करता है और इसे पीज़ोइलेक्ट्रिक सिरेमिक में प्रसारित करता है।पिज़ोइलेक्ट्रिक सिरेमिक अल्ट्रासोनिक आवृत्तियों पर प्रतिध्वनित होती हैसामग्री का पिज़ोइलेक्ट्रिक प्रभाव विद्युत संकेतों को रैखिक यांत्रिक कंपन में परिवर्तित करता है। अल्ट्रासोनिक ट्रांसड्यूसर आम तौर पर दो रूपों में आते हैंःचुंबकीय और पिज़ोइलेक्ट्रिक सिरेमिकहमारी कंपनी द्वारा उपयोग किए जाने वाले सभी ट्रांसड्यूसर पिज़ोइलेक्ट्रिक सिरेमिक हैं।

चुंबकत्व: चुंबकीय क्षेत्र या चुंबकीय क्षेत्र की क्रिया के अधीन किसी सामग्री के विकृत होने का प्रभाव तब उत्पन्न होता है जब सामग्री विकृत होती है।इन सामग्रियों में आमतौर पर निकेल होता है, जो मजबूत चुंबकत्व प्रदर्शित करता है।चुंबकीय संकुचित सामग्री (आमतौर पर टुकड़े टुकड़े किए गए) का उपयोग चुंबकीय संकुचित सेंसर में किया जाता है।चुंबकीय कठोर ट्रांसड्यूसर में आमतौर पर पीज़ोइलेक्ट्रिक ट्रांसड्यूसर की तुलना में अधिक नुकसान होते हैं और इसलिए अधिक शीतलन आवश्यकताएं होती हैं.

 

 

अल्ट्रासोनिक ट्रांसड्यूसर की संरचना


शक्ति अल्ट्रासाउंड के लिए उपयोग किए जाने वाले लगभग सभी पिज़ोइलेक्ट्रिक ट्रांसड्यूसर लैंगवेन प्रकार के होते हैं, अर्थात,एक या एक से अधिक पिज़ोइलेक्ट्रिक सिरेमिकों को आगे के चालक और पीछे के चालक के बीच यांत्रिक रूप से संपीड़ित (पूर्व तनाव) किया जाता है.

अल्ट्रासोनिक ट्रांसड्यूसर मुख्य रूप से एक केंद्रीय पिज़ोइलेक्ट्रिक सिरेमिक तत्व, सामने और पीछे धातु कवर प्लेटों, पूर्व तनावित शिकंजा, इलेक्ट्रोड शीट और इन्सुलेट ट्यूबों से बना है

रियर ड्राइवरः पिज़ोइलेक्ट्रिक ट्रांसड्यूसर के पीछे का बेलनाकार तत्व। रियर ड्राइवर पिज़ोइलेक्ट्रिक सिरेमिक के अंतिम टुकड़े के करीब है और आमतौर पर स्टैकिंग बोल्ट द्वारा प्रीलोड किया जाता है।
इलेक्ट्रोड शीट: ट्रांसड्यूसर के समीप स्थित पिज़ोइलेक्ट्रिक सिरेमिक के बीच एक पतली चालक डिस्क। ट्रांसड्यूसर ड्राइव वोल्टेज इन इलेक्ट्रोड के बीच लागू होता है।
फ्रंट ड्राइव: ट्रांसड्यूसर की अल्ट्रासोनिक ऊर्जा को हॉर्न या टूल हेड में प्रेषित करता है। फ्रंट ड्राइव में आमतौर पर आवास को जोड़ने के लिए एक माउंटिंग फ्लैंज शामिल होता है।
प्रीट्रेस स्क्रू: एक स्टैक्ड बोल्ट सिरेमिक के मध्य छेद के माध्यम से गुजरता है। बोल्ट कसने के बाद, सिरेमिक को पीछे के ड्राइवर और सामने के ड्राइवर के बीच संपीड़ित किया जाएगा,इस प्रकार सिरेमिक पर आवश्यक पूर्व तनाव लागू.
पिज़ोइलेक्ट्रिक सिरेमिकः पिज़ोइलेक्ट्रिक सिरेमिक ट्रांसड्यूसर का दिल है, एक घटक जो अल्ट्रासोनिक जनरेटर के विद्युत संकेत को रैखिक यांत्रिक कंपन में परिवर्तित करता है।

 

ट्रांसड्यूसर पर पूर्व तनाव का प्रभाव


प्रीट्रेस की वृद्धि के साथ पिज़ोइलेक्ट्रिक सिरेमिक का प्रतिबाधा और आवृत्ति स्थिर हो जाएगी। एक बड़ा प्रीट्रेस ट्रांसड्यूसर की प्रतिबाधा को कम कर सकता है।यदि पिज़ोइलेक्ट्रिक सिरेमिक पर्याप्त रूप से क्लैंप नहीं हैं, ट्रांसड्यूसर का प्रतिबाधा बड़ा हो जाएगा।

 

क्या ट्रांसड्यूसर का प्रीट्रेस बड़ा बेहतर है?

अत्यधिक पूर्व तनाव से ट्रांसड्यूसर का प्रदर्शन कम होगा, जो मुख्य रूप से निम्नलिखित पहलुओं में परिलक्षित होता हैः

पीज़ोइलेक्ट्रिक सिरेमिक के प्रदर्शन में संपीड़न पूर्वाग्रह के प्रभाव में परिवर्तन होता है। विशेष रूप से अधिकतम सुरक्षित तापमान जिसमें सामग्री प्रभावी रूप से काम कर सकती है, काफी कम हो सकता है,और उच्च संपीड़न तनाव क्यूरी तापमान को कम कर सकता है.
अत्यधिक दबाव से महत्वपूर्ण डिपोलराइजेशन होगा और अस्थिर प्रतिबाधा और उम्र बढ़ने का भी कारण बनेगा।
अत्यधिक प्रीट्रेस ट्रांसड्यूसर के सेवा जीवन को कम करेगा, और गंभीर मामलों में ट्रांसड्यूसर के सिरेमिक चिप को क्रिस्टलीकृत करने का कारण होगा।
ट्रांसड्यूसर का अत्यधिक पूर्व तनाव प्रारंभिक चरण में कम प्रतिबाधा दिखाएगा, लेकिन समय के साथ ट्रांसड्यूसर का प्रदर्शन घट जाएगा,उच्च प्रतिबाधा वाले उत्पादों के साथ.

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